CM50DU-24F Todos los transistores

 

CM50DU-24F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM50DU-24F
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 320 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 850 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 550 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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CM50DU-24F Datasheet (PDF)

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 9.2. Size:39K  powerex
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CM50DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module50 Amperes/600 VoltsABCF F KQ - DIA.(2 TYP.)M JDC2E1 E2 C1RNS - M5 THDDescription:(3 TYP.) (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesR are designed for use in switchingR.110 TAB applications. Each module consistsH L Hof two IGBT Tra

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