CM75DU-24F Todos los transistores

 

CM75DU-24F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM75DU-24F
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 450 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1300 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 825 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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CM75DU-24F Datasheet (PDF)

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CM75DU-24F
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CM75DU-24F
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CM75DU-12FPowerex, Inc., 200 E.Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD75 Amperes/600 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sists

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CM75DU-24F
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CM75DY-28HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module75 Amperes/1400 VoltsABCF F KQ - DIA.(2 TYP.)M JDC2E1 E2 C1RNS - M5 THDDescription:(3 TYP.) (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesRare designed for use in switchingR.110 TABapplications. Each module consistsH L Hof two IGBT Tr

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