CM800HC-66H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM800HC-66H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 9600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 800 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1000 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM800HC-66H IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
CM800HC-66H datasheet
cm800hc-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800HC-66H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICATION Traction
cm800hb-50h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800HB-50H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC ch
cm800hb-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800HB-66H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC ch
Otros transistores... CM800DZB-34N , CM800E2C-66H , CM800E2Z-66H , CM800E6C-66H , CM800HA-50H , CM800HA-66H , CM800HB-50H , CM800HB-66H , GT30F124 , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent