CM900HB-90H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM900HB-90H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 11100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM900HB-90H - IGBT
CM900HB-90H Datasheet (PDF)
cm900hb-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HB-90HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm900hg-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HG-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAP
cm900hc-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HC-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICA
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