CM900HB-90H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM900HB-90H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 11100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF

Encapsulados: MODULE

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CM900HB-90H datasheet

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CM900HB-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HB-90H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC ch

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CM900HB-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HG-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate AP

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CM900HB-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HC-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICA

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CM900HB-90H

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