DIM400DDM12-A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DIM400DDM12-A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 3470
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 4000
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DIM400DDM12-A - IGBT
DIM400DDM12-A Datasheet (PDF)
dim400ddm12-a.pdf
DIM400DDM12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5532-3.1 DS5532-4 November 2009 (LN26754) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57IC(PK) (max) 800A
dim400ddm17-a.pdf
DIM400DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5549-4.1 June 2002 DS5549-5 June 2009 (LN26749) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57I
dim400dds12-a.pdf
DIM400DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5841-1.1 DS5841-2 November 2009 (LN26744) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57IC(PK) (max) 800A
dim400dcm17-a.pdf
DIM400DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5490-4 DS5490-5 March 2011 (LN28169) KEY PARAMETERS 0.528FEATURES 6 x O70.216VCES 1700V 10s Short Circuit Withstand VCE(sat) * (typ) 2.7V screwing depth0.240IC (max) 400A High Thermal Cycling Capability max 8IC(PK) (max) 800A 0.253 Non Punch Through Silicon * Measured at the power
Otros transistores... DIM2400ESS12-A , DIM250PHM33-TL , DIM250PHM33-TS , DIM250PKM33-TL , DIM250PKM33-TS , DIM250PLM33-TL , DIM250PLM33-TS , DIM400DCM17-A , GT30J122 , DIM400DDM17-A , DIM400DDS12-A , DIM400GCM33-F , DIM400GDM33-F , DIM400NSM33-F , DIM400PBM17-A , DIM400PHM17-A , DIM400XCM33-F .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ