DIM600DCM17-A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DIM600DCM17-A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Encapsulados: MODULE

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DIM600DCM17-A datasheet

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DIM600DCM17-A

DIM600DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5491-4.2 DS5491-5 March 2011 (LN26753) FEATURES KEY PARAMETERS 0.5 28 6 x O7 0.2 16 10 s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V 0.2 High Thermal Cycling Capability screwing depth 40 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 53 IC(PK) (max) 1200A Isolated AlSiC Base Wi

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DIM600DCM17-A

DIM600DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5868-2 DS5868-3 March 2014 (LN31354) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK) (max)

 7.2. Size:423K  dynex
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DIM600DCM17-A

DIM600DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5596-2 DS5596-3 December 2013 (LN31169) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK) (ma

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