MG100Q2YS51 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG100Q2YS51
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 660
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG100Q2YS51 - IGBT
MG100Q2YS51 Datasheet (PDF)
mg100q2ys65h.pdf
MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight: 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteri
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Liste
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