MIXG120W1200TEH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MIXG120W1200TEH  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 186 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Encapsulados: MODULE

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MIXG120W1200TEH datasheet

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MIXG120W1200TEH

MIXG120W1200TEH tentative VCES = 1200 V X2PT IGBT Module IC25 = 186 A VCE(sat) = 1.7 V 6-Pack + NTC Part number MIXG120W1200TEH 28, 29, 30 54, 55, 56 E72873 T1 T3 T5 D1 D3 D5 1 9 17 31 2 10 18 48 42 36 49 43 37 NTC 50 44 38 D2 D4 D6 T2 T4 T6 32 5 13 21 6 14 22 59, 60, 61 23, 24, 25 Features / Advantages Applications Package E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

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MIXG120W1200TEH

MIXG180W1200TEH tentative VCES = 1200 V X2PT IGBT Module IC25 = 280 A VCE(sat) = 1.7 V 6-Pack + NTC Part number MIXG180W1200TEH 28, 29, 30 54, 55, 56 E72873 T1 T3 T5 D1 D3 D5 1 9 17 31 2 10 18 48 42 36 49 43 37 NTC 50 44 38 D2 D4 D6 T2 T4 T6 32 5 13 21 6 14 22 59, 60, 61 23, 24, 25 Features / Advantages Applications Package E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

Otros transistores... MIXA600PF650TSF, MIXA60HU1200VA, MIXA60WH1200TEH, MIXA81WB1200TEH, MIXD200W650TEH, MIXD50W650TED, MIXD600PF650TSF, MIXD80PM650TMI, RJP30H1DPD, MIXG180W1200TEH, MIXG240W1200TEH, MP6750, MP6752, MP6753, MP6757, MSAGA11F120D, MUBW30-12A6