MIXG120W1200TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXG120W1200TEH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 186 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIXG120W1200TEH - IGBT
MIXG120W1200TEH Datasheet (PDF)
mixg120w1200teh.pdf
MIXG120W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 186 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG120W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre
mixg180w1200teh.pdf
MIXG180W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 280 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG180W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre
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