MIXG120W1200TEH Todos los transistores

 

MIXG120W1200TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXG120W1200TEH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 186 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MIXG120W1200TEH Datasheet (PDF)

 0.1. Size:382K  ixys
 mixg120w1200teh.pdf pdf_icon

MIXG120W1200TEH

MIXG120W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 186 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG120W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

 9.1. Size:385K  ixys
 mixg180w1200teh.pdf pdf_icon

MIXG120W1200TEH

MIXG180W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 280 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG180W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AP50G60W-HF | BSM300GB120DLC | IXBX28N300HV | MG75J2YS50 | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | IXGA48N60C3

 

 
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