MIXG240W1200TEH Todos los transistores

 

MIXG240W1200TEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXG240W1200TEH
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 370 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 630 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MIXG240W1200TEH Datasheet (PDF)

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MIXG240W1200TEH

MIXG240W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 370 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG240W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

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History: 2MBI150N-060 | MIXA600CF650TSF | MMG75S120B6UN | SRE60N065FSU | XP015PJE120AT1B1 | IXST30N60C | BLG20T65FDLA-B

 

 
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