PM25CL1A120 Todos los transistores

 

PM25CL1A120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM25CL1A120

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 128

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: MODULE

Búsqueda de reemplazo de PM25CL1A120 - IGBT

 

PM25CL1A120 Datasheet (PDF)

1.1. pm25cl1a120.pdf Size:141K _mitsubishi

PM25CL1A120

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