2M410A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2M410A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 900 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
2M410A Datasheet (PDF)
Otros transistores... MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , GT30F125 , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 .
History: IXSN80N60BD1 | IXSA20N60B2D1 | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | RJH60C9DPD | NCE15TD60BD
History: IXSN80N60BD1 | IXSA20N60B2D1 | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | RJH60C9DPD | NCE15TD60BD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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