2M410A Todos los transistores

 

2M410A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2M410A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 2М410А
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 900 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de 2M410A IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2M410A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  1
2m410a 2m410b 2m410b1 2m410v 2m410v1 2m410g.pdf pdf_icon

2M410A

2410,,1,,1, , :, ,

 ..2. Size:227K  russia
2m410a.pdf pdf_icon

2M410A

2410,,1,,1, , :, ,

 9.1. Size:227K  russia
2m410v.pdf pdf_icon

2M410A

2410,,1,,1, , :, ,

 9.2. Size:227K  russia
2m410b1.pdf pdf_icon

2M410A

2410,,1,,1, , :, ,

Otros transistores... MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , JT015N065FED , RJH60F5DPQ-A0 , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 , RJH3044 .

History: STGB18N40LZT4 | VS-GB50LP120N | F3L300R12MT4-B22 | FGA40T65SHDF | IXGX120N60C2 | DM2G200SH12A | IXGT4N250C

 

 
Back to Top

 


 
.