GPU75HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPU75HF120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 357
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 3.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 920
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 680
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de GPU75HF120D1 - IGBT
GPU75HF120D1 Datasheet (PDF)
gpu75hf120d1.pdf
GPU75HF120D1 GPU75HF120D1IGBT Module 1200V/75A 2 in one-package Features 1200V75A,V =3.2V@75A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications
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Liste
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