GPU75HF120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPU75HF120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 920 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 680 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de GPU75HF120D1 - IGBT
GPU75HF120D1 Datasheet (PDF)
gpu75hf120d1.pdf
GPU75HF120D1 GPU75HF120D1IGBT Module 1200V/75A 2 in one-package Features 1200V75A,V =3.2V@75A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications
Otros transistores... SGT60T65FD1PS , SGT60T65FD1PT , GPK100HF120D1 , GPK200HF120D2 , GPU100HF120D1 , GPU150HF120D2 , GPU200HF120D2 , GPU50HF120D1 , YGW75N65F1 , HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , HMG15N60D , HMG15N60F .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2