GPU75HF120D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GPU75HF120D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 920 pF

Encapsulados: MODULE

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GPU75HF120D1 datasheet

 ..1. Size:420K  cn hmsemi
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GPU75HF120D1

GPU75HF120D1 GPU75HF120D1 IGBT Module 1200V/75A 2 in one-package Features 1200V75A,V =3.2V@75A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 34mm half bridge module General Description Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications

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