SSG55N60Z Todos los transistores

 

SSG55N60Z - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSG55N60Z
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 180 nC
   Paquete / Cubierta: TO254Z

 Búsqueda de reemplazo de SSG55N60Z - IGBT

 

SSG55N60Z Datasheet (PDF)

 6.1. Size:60K  1
ssg55n60.pdf

SSG55N60Z
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SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features: Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

 9.1. Size:1421K  secos
ssg5509a.pdf

SSG55N60Z
SSG55N60Z

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to Bprovide excellent on-resistance extremely efficient and

Otros transistores... HMG60N60A , HMG60N60T , KDG25R12KE3 , KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , CRG40T60AN3H , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 , CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 .

 

 
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