IXDT30N120AU1 Todos los transistores

 

IXDT30N120AU1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXDT30N120AU1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Paquete / Cubierta: TO268
 

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IXDT30N120AU1 datasheet

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IXDT30N120AU1

High Voltage IGBT IXDH 30N120AU1 VCES = 1200 V IXDT 30N120AU1 IC25 = 50 A with Diode VCE(sat) typ = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXDH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V TO-268 AA (IXDT) IC25 TC = 25 C5... See More ⇒

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IXDT30N120AU1

IXDH 30N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXDH 30N120 D1 IC25 = 60 A with optional Diode IXDT 30N120 VCE(sat) typ = 2.4 V IXDT 30N120 D1 Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G E E G C C (TAB) IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 E IXDT 30N120 IXDT 30N120 D1 TO--268 AA (IXDT) Symbol Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E C (T... See More ⇒

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