MPFF50R12RB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPFF50R12RB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MPFF50R12RB IGBT
MPFF50R12RB Datasheet (PDF)
mpff50r12rb.pdf
MPFF50R12RB 1200V 50A IGBT IGBT IGBT -T =25V 1200Vvj CES
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History: MMGT75W120X6C | SGL5N60RUFD
History: MMGT75W120X6C | SGL5N60RUFD
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