MPFF50R12RB IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPFF50R12RB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
Encapsulados: MODULE
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MPFF50R12RB datasheet
mpff50r12rb.pdf
MPFF50R12RB 1200V 50A IGBT IGBT IGBT - T =25 V 1200 V vj CES
Otros transistores... BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , MPFF100R12RB , CRG15T120BNR3S , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR .
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