RGTH60TS65DGC13 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGTH60TS65DGC13
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 194
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 58
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 40
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 66
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 58
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGTH60TS65DGC13 - IGBT
RGTH60TS65DGC13 Datasheet (PDF)
rgth60ts65dgc13.pdf
RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-247GEVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3)lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) High Speed Switching(2) Collector*13) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built
rgth60ts65d.pdf
RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui
rgth60ts65.pdf
RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica
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