RGTH60TS65DGC13 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGTH60TS65DGC13
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 194 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 66 pF
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGTH60TS65DGC13 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
RGTH60TS65DGC13 datasheet
rgth60ts65dgc13.pdf
RGTH60TS65DGC13 650V 30A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-247GE VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built
rgth60ts65d.pdf
RGTH60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui
rgth60ts65.pdf
RGTH60TS65 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica
Otros transistores... MPFF100R12RB , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , IKW50N60H3 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK , DGTD120T25S1PT .
History: SKM195GB124DN
History: SKM195GB124DN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet



