LEGM300BH120L2K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LEGM300BH120L2K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
LEGM300BH120L2K Datasheet (PDF)
legm300bh120l2k.pdf

Sep.2020LEGM300BH120L2KIGBT Power ModuleFeatures Applications VCE=1200V IC=300A The inverter Low VCE(sat) Motor control and drives VCEsat with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 Isolation Type PackagePackage Type & Internal Circuit L2 Internal CircuitMaximum Rated ValuesIGBT InverterSymbol Parameter Conditio
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History: IGB20N65S5 | NGD15N41A | 2MBI300NB-060 | IQGB300N120I4 | IRG4PC40FDPBF | JNG20T60PS | IXBF12N300
History: IGB20N65S5 | NGD15N41A | 2MBI300NB-060 | IQGB300N120I4 | IRG4PC40FDPBF | JNG20T60PS | IXBF12N300



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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