KWRFF40R12SWM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KWRFF40R12SWM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 230 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 199 pF
Encapsulados: MODULE
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KWRFF40R12SWM datasheet
kwrff50r12swm.pdf
KWRFF50R12SWM 1200V 50A IGBT IGBT 100% RBSOA 2*IC VCE=1.70V (Eoff=4.0mJ) >10us IGBT( ) T =25 j
Otros transistores... LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , KWRFF100R12SWM , CRG75T65AK5HD , KWRFF50R12SWM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 , MG200HF12MIC2 .
History: GA200SA60U | SGT10T60SDM1P7 | MG100HF12MIC1 | IRGP50B60PD1PBF | SGT15T60SD1T
History: GA200SA60U | SGT10T60SDM1P7 | MG100HF12MIC1 | IRGP50B60PD1PBF | SGT15T60SD1T
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