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KWRFF40R12SWM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KWRFF40R12SWM
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 193 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.8(typ) V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 230 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 199 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 236 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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KWRFF40R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1839K  cn junshine
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KWRFF40R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.1. Size:1902K  cn junshine
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KWRFF40R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.2. Size:1814K  cn junshine
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KWRFF40R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf pdf_icon

KWRFF40R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

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History: STGB10NC60HD | AOTS40B65H1 | IXSP20N60B2 | MMG50S170B6TC | MMG600K120U6TN | NGTB15N120IHWG | BSM200GD60DLC

 

 
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