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IXGA12N60CD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGA12N60CD1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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Principales características: IXGA12N60CD1

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IXGA12N60CD1

IXGA 12N60CD1 HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGP 12N60CD1 LightspeedTM Series IC25 = 24 A VCE(sat) = 2.7 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXGA) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A IC90 TC = 90 C12 A TO-220 AB ICM TC = 25 C,

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IXGA12N60CD1

VCES = 600 V IXGA 12N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 24 A IXGP 12N60C VCE(sat)= 2.7 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXGA) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G VGES Continuous 20 V C (tab) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A TO-220 AB IC90 TC = 90 C12 A (IXGP) ICM TC = 25 C, 1 ms 48

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ixga12n60b ixgp12n60b.pdf pdf_icon

IXGA12N60CD1

IXGA 12N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 12N60B IC25 = 24 A VCE(sat) = 2.1 V tfi(typ) = 120 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A IC90 TC = 90 C12 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC =

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ixga12n120a3 ixgp12n120a3 ixgh12n120a3.pdf pdf_icon

IXGA12N60CD1

GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGA12N120A3 IGBTs IC90 = 12A IXGP12N120A3 VCE(sat) 3.0V IXGH12N120A3 High Surge Current TO-263 AA (IXGA) Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching G S D (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V G

Otros transistores... IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , IXGA12N100 , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C , GT60N321 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C , IXGA20N100 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , IXGA8N100 .

 

 
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