IXGA20N100 Todos los transistores

 

IXGA20N100 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGA20N100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IXGA20N100 PDF specs

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IXGA20N100

VCES = 1000 V IXGA 20N100 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N100 VCE(sat) = 3.0 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15... See More ⇒

 ..2. Size:110K  ixys
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IXGA20N100

VCES = 1000 V IXGA 20N100 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N100 VCE(sat) = 3.0 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15... See More ⇒

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IXGA20N100

Advance Technical Information VCES = 1000V GenX3TM 1000V IXGA20N100A3 IC90 = 20A IGBTs IXGP20N100A3 VCE(sat) 2.3V IXGH20N100A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-263 (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1000 V VGES Continuous 20 V ... See More ⇒

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IXGA20N100

VCES = 1200 V IXGA 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A SSOA VGE = 15 V, T... See More ⇒

Otros transistores... IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C , IXGA12N60CD1 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C , GT30F125 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , IXGA8N100 , IXGH32N60AU1S , IXGH40N30AS , IXGH40N30BS , IXGH50N60AS .

 

 
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