IXGA7N60C Todos los transistores

 

IXGA7N60C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGA7N60C

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 14

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 45

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO263

Búsqueda de reemplazo de IXGA7N60C - IGBT

 

IXGA7N60C Datasheet (PDF)

1.1. ixga7n60c.pdf Size:66K _ixys

IXGA7N60C
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VCES = 600 V IXGA 7N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 14 A IXGP 7N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.7 V tfi = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V G C E VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25°C 14 A IC90 TC = 90°C 7 A ICM TC = 25°C, 1 ms 30

1.2. ixga7n60cd1.pdf Size:89K _ixys

IXGA7N60C
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IXGA 7N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60CD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat)typ = 2.0 V LightspeedTM Series tfi = 45 ns Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G C E VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC

 1.3. ixga7n60c ixgp7n60c.pdf Size:65K _ixys

IXGA7N60C
IXGA7N60C

VCES = 600 V IXGA 7N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 14 A IXGP 7N60C LightspeedTM Series VCE(sat) = 2.7 V tfi = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V G C E VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25°C 14 A IC90 TC = 90°C 7 A ICM TC = 25°C, 1 ms 30

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