XD025H120CX1S3 Todos los transistores

 

XD025H120CX1S3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XD025H120CX1S3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 365 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 162 pF

Encapsulados: TO247

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XD025H120CX1S3 datasheet

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XD025H120CX1S3

XD025H120CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Ord

 2.1. Size:801K  cn xdm
 xd025h120cx1.pdf pdf_icon

XD025H120CX1S3

XD025H120CX1 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives Absolute Maximum Ratings

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History: STGB19NC60HDT4 | VS-GB75LA60UF | SKM145GAX123D | VS-GB400AH120U | STGF30M65DF2 | VS-GB50LP120N | AP50G60SW

 

 

 

 

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