XD025H120CX1S3 Todos los transistores

 

XD025H120CX1S3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XD025H120CX1S3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 365 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 162 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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XD025H120CX1S3 Datasheet (PDF)

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XD025H120CX1S3

XD025H120CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Ord

 2.1. Size:801K  cn xdm
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XD025H120CX1S3

XD025H120CX1 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives Absolute Maximum Ratings

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