SGT40N60NPFDPN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGT40N60NPFDPN
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 40N60NPFD
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 80
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 180
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 100
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SGT40N60NPFDPN Datasheet (PDF)

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