SGT40N60NPFDPN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT40N60NPFDPN 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF

Encapsulados: TO3P

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Búsqueda de reemplazo de SGT40N60NPFDPN IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGT40N60NPFDPN datasheet

..1. Size:293K silan
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SGT40N60NPFDPN 40A 600V C 2 SGT40N60NPFDPN Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 40A 600V

6.1. Size:260K silan
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SGT40N60F2P7 40A, 600V C 2 SGT40N60F2P7 1 Field Stop II G UPS SMPS PFC 3 E 4

SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 40A, 600V C 2 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 1 1 2 G 3 Field Stop III TO-247-3L SMPS UPS