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IXGH10N100AU1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH10N100AU1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 500 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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Principales características: IXGH10N100AU1

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IXGH10N100AU1

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IXGH10N100AU1

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH 10 N100 1000 V 20 A 3.5 V High speed IGBT IXGH 10 N100A 1000 V 20 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C20 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C10 A E = Emitter, TAB = Col

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IXGH10N100AU1

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH 10 N100 1000 V 20 A 3.5 V High speed IGBT IXGH 10 N100A 1000 V 20 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C20 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C10 A E = Emitter, TAB = Col

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 ixgh10n170a ixgt10n170a.pdf pdf_icon

IXGH10N100AU1

IXGH 10N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 10N170A IC25 = 10 A IGBT VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 35 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C10 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C5 A ICM

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History: ATT040K065EQ

 

 
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