STGF5H60DF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGF5H60DF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 24 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
Encapsulados: TO220F
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STGF5H60DF datasheet
stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf
STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DF Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT Features TAB TAB High-speed switching 3 2 3 1 1 DPAK 2 Tight parameter distribution D PAK Safe paralleling TAB Low thermal resistance Short-circuit rated 3 2 3 1 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 2 1 TO-220 TO-220FP Appl
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History: NCE40TD120WT | STGB40H65FB | NCE40TD120BT | STGD5H60DF | MPBW25N120B | BG200B12UY3-I | JT05N065FED
History: NCE40TD120WT | STGB40H65FB | NCE40TD120BT | STGD5H60DF | MPBW25N120B | BG200B12UY3-I | JT05N065FED
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