IXGH22N50B Todos los transistores

 

IXGH22N50B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH22N50B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 44 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 90 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGH22N50B Datasheet (PDF)

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IXGH22N50B

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IXGH22N50B

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IXGH22N50B

Advance Technical DataHigh Voltage IXGH 22N170 VCES = 1700 VIXGT 22N170 IC25 = 40 AIGBTVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 290 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C44 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C22 AICM TC

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IXGH22N50B

IXGH 28N90B VCES = 900 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N90B IC25 = 51 AVCE(SAT) = 2.7 VPreliminary data sheettfi(typ) = 130 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C51 AIC110 TC = 110C28 ATO-268 (D3)ICM TC =

Otros transistores... IXGH17N100A , IXGH17N100AU1 , IXGH17N100U1 , IXGH20N100 , IXGH20N30 , IXGH20N30S , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 , GT30F126 , IXGH22N50BU1 , IXGH22N50C , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 .

History: STGB18N40LZT4 | IXGR32N60CD1 | IXGX100N170 | GT8Q102 | HGTP1N120BN

 

 
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