AIKB20N60CT Todos los transistores

 

AIKB20N60CT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIKB20N60CT
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: AK20DCT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 71 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 120 nC
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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AIKB20N60CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2000K  infineon
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AIKB20N60CT

AIKB20N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel diodeCFeatures: Automotive AEC Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum Junction Temperature 150CG Dynamically stress testedE Short circuit withstan

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History: IRG4BC30UD | 2MBI450VH-120-50 | IXGH56N60B3D1 | IXGH36N60B3 | VS-GB50TP120N | SKM145GAR123D | TT025N120EQ

 

 
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