AIKW20N60CT IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AIKW20N60CT
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 71 pF
Encapsulados: TO247
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AIKW20N60CT datasheet
aikw20n60ct.pdf
AIKW20N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor
Otros transistores... AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , FGA25N120ANTD , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E .
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