DDB6U180N16RR-B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DDB6U180N16RR-B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 515 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Encapsulados: MODULE
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DDB6U180N16RR-B11 datasheet
ddb6u180n16rr-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul DDB6U180N16RR_B11 IGBT-Module EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxil
ddb6u180n16rr-b37.pdf
DDB6U180N16RR_B37 EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary inverters Klimaanlagen Air conditioning
ddb6u180n16rrp-b37.pdf
DDB6U180N16RRP_B37 EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications
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History: SKM75GB123D | AUIRGP4062D-E
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