DDB6U180N16RR-B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DDB6U180N16RR-B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 515 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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DDB6U180N16RR-B11 Datasheet (PDF)
ddb6u180n16rr-b11.pdf
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ddb6u180n16rr-b37.pdf
DDB6U180N16RR_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary inverters Klimaanlagen Air conditioning
ddb6u180n16rrp-b37.pdf
DDB6U180N16RRP_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface Material V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications
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Liste
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