IXGH25N100A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGH25N100A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Encapsulados: TO247
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IXGH25N100A datasheet
ixgh25n100a.pdf
VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C50 A IC90 TC = 90 C25 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C, 1 m
ixgh25n100au1.pdf
Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) High speed IGBT IXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 V IXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 V with Diode TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30 V E = Emitter TAB = Collector I
ixgh25n100u1.pdf
Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) High speed IGBT IXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 V IXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 V with Diode TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30 V E = Emitter TAB = Collector I
ixgh25n100.pdf
VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C50 A IC90 TC = 90 C25 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C, 1 m
Otros transistores... IXGH22N50C , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 , IXGH25N100 , IRGP4063D , IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IXGH28N30B , IXGH28N60B , IXGH32N60AS .
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