DGF15N60CTL0 Todos los transistores

 

DGF15N60CTL0 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGF15N60CTL0
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 31 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DGF15N60CTL0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  cn yangzhou yangjie elec
 dgf15n60ctl0.pdf pdf_icon

DGF15N60CTL0

RoHS DGF15N60CTL0 COMPLIANT IGBT Discrete V 600 V CEI 15 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Circuit Soft switching applications Air conditioning Motor drive inverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness

 3.1. Size:460K  cn yangzhou yangjie elec
 dgf15n60ctl.pdf pdf_icon

DGF15N60CTL0

RoHS DGF15N60CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 600 V CEI 15 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 15 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,

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