DGP10N60CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGP10N60CTL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DGP10N60CTL - IGBT
DGP10N60CTL Datasheet (PDF)
dgp10n60ctl.pdf
RoHS DGP10N60CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 600 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,
dgp10n65ctl.pdf
RoHS DGP10N65CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 650 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,
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Liste
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