DGP10N60CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGP10N60CTL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 110
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 18
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 56
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 52
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DGP10N60CTL - IGBT
DGP10N60CTL Datasheet (PDF)
dgp10n60ctl.pdf
RoHS DGP10N60CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 600 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,
dgp10n65ctl.pdf
RoHS DGP10N65CTL COMPLIANT IGBT Descrete V 650 V CEI 10 A CV I = A 1.65 V CE(SAT) C 10 Applications Soft switchingapplications Circuit Airconditioning Motor driveinverter Features High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High ruggedness,
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Liste
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