IXGH28N90B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGH28N90B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 51 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
IXGH28N90B Datasheet (PDF)
ixgh28n90b.pdf

IXGH 28N90B VCES = 900 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N90B IC25 = 51 AVCE(SAT) = 2.7 VPreliminary data sheettfi(typ) = 130 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C51 AIC110 TC = 110C28 ATO-268 (D3)ICM TC =
ixgh28n30b ixgt28n30b.pdf

IXGH 28N30BVCES = 300 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N30BIC25 = 56 AVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi(typ) = 55 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25 C to 150 C 300 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V CEIC25 TC = 25 C56 ATO-268IC90 TC = 90 C28 A(IXGT)ICM TC = 25 C, 1 ms 112 AGSSOA VGE= 15 V, TV
ixgh28n60b3d1.pdf

Advance Technical InformationIXGH28N60B3D1 VCES = 600VPolarHVTM IGBTIC110 = 28A VCE(sat) 1.8V TO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V C (TAB)CEIC25 TC = 25C 66 AIC110 TC = 110C 28 AIF110 TC = 110C 10 A
ixgh28n30a ixgt28n30a.pdf

IXGH 28N30A VCES = 300 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N30A IC25 = 56 AVCE(sat)typ = 1.85 Vtfi(typ) = 120 nsPreliminary dataTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25 C to 150 C 300 VGVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 VC(TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268(IXGT)IC25 TC = 25 C56 AIC90 TC = 90 C28 A GEICM TC = 25 C, 1
Otros transistores... IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IXGH28N30B , IXGH28N60B , IXGH32N60AS , RJH3047 , IXGH30N30 , IXGH30N30S , IXGH30N60B , IXGH30N60BD1 , IXGH30N60BU1 , IXGH31N60 , IXGH31N60D1 , IXGH32N50B .
History: IXSK40N60CD1 | 2MBI150U2A-060
History: IXSK40N60CD1 | 2MBI150U2A-060



Liste
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