JNG40T60HS Todos los transistores

 

JNG40T60HS - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JNG40T60HS
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 205 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 203 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150.5 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 75.1 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

 

JNG40T60HS Datasheet (PDF)

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