CRG08T60A83L Todos los transistores

 

CRG08T60A83L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRG08T60A83L
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 104 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CRG08T60A83L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1568K  wuxi china
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CRG08T60A83L

Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A83L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 104 W VCE(sat) 1.8 V TO-220 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t

 5.1. Size:1539K  wuxi china
crg08t60a93l.pdf pdf_icon

CRG08T60A83L

Silicon FS Trench IGBT CRG08T60A93L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) ItC offering 8 A echnology, superior conduction and switching performances. Ptot TC=25 32 W VCE(sat) 1.8 V TO-220F Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: VCE(sat), t

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