SGT15T60SD1F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT15T60SD1F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 15T60SD1F
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 43
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 41
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 55
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 38
Paquete / Cubierta: TO220F
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SGT15T60SD1F Datasheet (PDF)
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE
sgt15t60qd1f.pdf
SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC
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Liste
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