SGT30T60SD3PU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT30T60SD3PU
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Paquete / Cubierta: TO247N
Búsqueda de reemplazo de SGT30T60SD3PU - IGBT
SGT30T60SD3PU Datasheet (PDF)
..1. Size:340K silan
sgt30t60sd3pu.pdf
sgt30t60sd3pu.pdf
SGT30T60SD3PU 30A600V C2SGT30T60SD3PU 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=30A
4.1. Size:363K silan
sgt30t60sdm1p7.pdf
sgt30t60sdm1p7.pdf
SGT30T60SDM1P7 30A600V C2SGT30T60SDM1P7 Field Stop III 1G UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE sat=1.65V@IC=30
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Liste
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