SGTP40V60SD2PF Todos los transistores

 

SGTP40V60SD2PF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP40V60SD2PF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP40V60SD2PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V60SD2PF

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 5.1. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V60SD2PF

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

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 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60SD2PF

SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A

 6.2. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60SD2PF

SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

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History: SKM50GB12V | APTGF300SK120 | F3L400R12PT4_B26 | IXXK200N60B3 | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
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