SGTP50V60FD2PF Todos los transistores

 

SGTP50V60FD2PF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP50V60FD2PF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 50V60FD2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 58 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 131 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP50V60FD2PF Datasheet (PDF)

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SGTP50V60FD2PF

SGTP50V60FD2PF 50A600V C 2SGTP50V60FD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

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SGTP50V60FD2PF

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

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SGTP50V60FD2PF

SGTP50V60SD2PF 50A600V C 2SGTP50V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

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SGTP50V60FD2PF

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

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History: SKM100GAL12T4 | IQGB300N120GA4

 

 
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