SGTP50V60SD2PF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP50V60SD2PF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de SGTP50V60SD2PF IGBT
SGTP50V60SD2PF Datasheet (PDF)
sgtp50v60sd2pf.pdf
SGTP50V60SD2PF 50A600V C 2SGTP50V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A
sgtp50v60fd2pu.pdf
SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v60fd2pf.pdf
SGTP50V60FD2PF 50A600V C 2SGTP50V60FD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65sdb1p7.pdf
SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A
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History: FD1200R17KE3-K
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