SGTP50V60SD2PF Todos los transistores

 

SGTP50V60SD2PF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP50V60SD2PF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: P50V60SD2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP50V60SD2PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  silan
 sgtp50v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60SD2PF

SGTP50V60SD2PF 50A600V C 2SGTP50V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 5.1. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V60SD2PF

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.2. Size:396K  silan
 sgtp50v60fd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60SD2PF

SGTP50V60FD2PF 50A600V C 2SGTP50V60FD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 6.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V60SD2PF

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: GT20J311 | GT15J103 | CM200DU-24NFH | STGW100H65FB2-4 | MII200-12A4 | IRGP4790 | FGH40T120SMD-F155

 

 
Back to Top

 


 
.