IXGK80N60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGK80N60A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 860 pF

Encapsulados: TO264

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IXGK80N60A datasheet

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IXGK80N60A

IXGK80N60A Preliminary data VCES = 600 V IXGK80N60A HiPerFASTTM IGBT IC25 = 80 A VCE(sat) = 2.7 V tfi = 275 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C, limited by leads 80 A IC90 TC = 90 C80 A G = Gate C = Co

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IXGK80N60A

Advance Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120B3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120B3 VCE(sat) 3.20V High-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 3 - 20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V C (TAB) E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient

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IXGK80N60A

Preliminary Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120A3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120A3 VCE(sat) 2.05V Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 3

Otros transistores... IXGH60N60, IXGK120N60B, IXGK50N50BU1, IXGK50N60AU1, IXGK50N60B, IXGK50N60BD1, IXGK50N60BU1, IXGK60N60, MGD623S, IXGK80N60AU1, IXGM17N100, IXGM17N100A, IXGM25N100, IXGM25N100A, IXGN200N60, IXGN200N60A, IXGN200N60B