SGTP5T60SD1STR IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP5T60SD1STR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 26 pF
Encapsulados: TO263
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SGTP5T60SD1STR datasheet
sgtp5t60sd1dtr sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s sgtp5t60sd1str.pdf
SGTP5T60SD1D(F)(S) 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=
sgtp5t60sd1d sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s.pdf
SGTP5T60SD1D/F/S 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=5
sgtp50t120fdb4pwa.pdf
SGTP50T120FDB4PWA 50A 1200V C 2 SGTP50T120FDB4PWA 1 G Field Stop IV UPS SMPS PFC 3 E 50A 1200V VCE(sat)( )=2.0V@IC=50A
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