SGTQ200V75SDB1PWA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ200V75SDB1PWA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: Q200V75SDB1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 750
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 750
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.42
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 62
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 498
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 750
Paquete / Cubierta: TO247PN
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SGTQ200V75SDB1PWA Datasheet (PDF)
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
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Liste
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