SGTQ200V75SDB1PWA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ200V75SDB1PWA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
Encapsulados: TO247PN
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SGTQ200V75SDB1PWA datasheet
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
SGTQ200V75SDB1PWD 200A 750V C 2 SGTQ200V75SDB1PWD 1 G Field Stop 5 Motor Drives DC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
Otros transistores... SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , IXRH40N120 , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK .
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