SGTQ200V75SDB1PWA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ200V75SDB1PWA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
Paquete / Cubierta: TO247PN
Búsqueda de reemplazo de SGTQ200V75SDB1PWA - IGBT
SGTQ200V75SDB1PWA Datasheet (PDF)
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
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Liste
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