IXGM17N100 Todos los transistores

 

IXGM17N100 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGM17N100

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF

Encapsulados: TO204

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IXGM17N100 datasheet

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IXGM17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

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IXGM17N100

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C34 A IC90 TC = 90 C17 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C

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