SL20T65FZ Todos los transistores

 

SL20T65FZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL20T65FZ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL20T65FZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8544K  slkor
 sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf pdf_icon

SL20T65FZ

SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou

 6.1. Size:6757K  slkor
 sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf pdf_icon

SL20T65FZ

SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu

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History: VS-GB150TS60NPBF | GT25Q101 | NCE20TH60BP

 

 
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