SL20T65FL1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL20T65FL1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 162
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 56
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 128
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 43.9
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SL20T65FL1 - IGBT
SL20T65FL1 Datasheet (PDF)
sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf
SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu
sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf
SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou
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Liste
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