SL20T65FL1 Todos los transistores

 

SL20T65FL1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL20T65FL1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 162
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 56
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 128
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 43.9
   Paquete / Cubierta: TO247

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SL20T65FL1 Datasheet (PDF)

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SL20T65FL1
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SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu

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sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf

SL20T65FL1
SL20T65FL1

SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou

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