IXGM25N100A Todos los transistores

 

IXGM25N100A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGM25N100A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1000V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 500

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO268

Búsqueda de reemplazo de IXGM25N100A - IGBT

 

IXGM25N100A Datasheet (PDF)

1.1. ixgm25n100a.pdf Size:76K _igbt

IXGM25N100A
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VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25°C to 150°C 1000 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 1000 V VGES Continuous ±20 V G C VGEM Transient ±30 V E IC25 TC = 25°C50 A IC90 TC = 90°C25 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25°C, 1 m

5.1. ixgh20n60-a ixgm20n60-a.pdf Size:64K _ixys

IXGM25N100A
IXGM25N100A

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 20 N60 600 V 40 A 2.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 20 N60A 600 V 40 A 3.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25C40 A IC90 TC = 90C20 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25C, 1 ms 80 A SSOA VG

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