JT05N065CED Todos los transistores

 

JT05N065CED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT05N065CED

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 96.2 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31.3 pF

Encapsulados: TO-220C

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JT05N065CED datasheet

 ..1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065CED

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V Vcesat Vge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

 6.1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065CED

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

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History: JT075K120F2MA1E | AFGHL75T65SQ | NCE40TD120BT | IXXH50N60B3 | SKM195GAR063DN | SME6G30US60 | MPBW25N120B

 

 

 

 

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