TT040U120EQ Todos los transistores

 

TT040U120EQ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT040U120EQ

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 568 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 232 pF

Encapsulados: TO-247

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TT040U120EQ datasheet

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TT040U120EQ

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TT040U120EQ

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TT040U120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT040U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

 9.1. Size:1548K  jilin sino
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TT040U120EQ

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History: IXYP15N65C3D1 | IXYK100N65B3D1

 

 

 


 
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