TT075N120EBC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT075N120EBC  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 146 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF

Encapsulados: TO-247PLUS

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TT075N120EBC datasheet

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TT075N120EBC

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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT R ATT075N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Industrial Inverter On Board Chargers DC-DC Converters DC-DC Motordrives FEATURES Low gate

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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT R TT075N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package TO-247 IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V TO-247 APPLICATIONS Industrial Inverter UPS UPS DC-DC Converters DC-DC Motordrives Solarconverters TO-247-4L

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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT R TT075U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V APPLICATIONS Built in SiC SBD Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

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