TT075N120EBC Todos los transistores

 

TT075N120EBC - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT075N120EBC
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 146 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247PLUS
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT075N120EBC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  jilin sino
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TT075N120EBC

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 8.1. Size:1675K  jilin sino
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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT RATT075N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Industrial Inverter On Board Chargers DC-DC Converters DC-DC Motordrives FEATURES Low gate

 8.2. Size:1317K  jilin sino
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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT RTT075N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package TO-247 IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V TO-247 APPLICATIONS Industrial Inverter UPS UPS DC-DC Converters DC-DC Motordrives Solarconverters TO-247-4L

 9.1. Size:1340K  jilin sino
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TT075N120EBC

N N-CHANNEL IGBT RTT075U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V APPLICATIONS Built in SiC SBD Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

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History: IXYF30N450 | IXGQ170N30PB | HGT1S7N60B3D | MG06200S-BN4MM | CM100TX-24S1 | FGW40N120H | SKM400GA124D

 

 
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